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基于同型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法
点击次数:
申请专利人:张超
专利说明:基于同型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法
专利类型:发明
专利状态:#N/A
申请号:201610930556.X
发明人数:4
是否职务专利:否
申请日期:2016-10-27
第一作者:张超
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申请专利人:张超
专利说明:基于同型异质结半导体二氧化氮气敏层的制备方法
专利类型:发明
专利状态:#N/A
申请号:201610930556.X
发明人数:4
是否职务专利:否
申请日期:2016-10-27
第一作者:张超